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研发工程师 (IGBT)
投递简历

岗位职责:


1、负责IGBT、MOSFET、FRD、SIC MOS、SIC SBD/JBS等功率半导体芯片设计与开发工作,含工艺仿真、结构设计、版图绘制和工艺流程制定;
2、负责解决芯片设计与开发过程中的关键设计、仿真、工艺等技术问题,进行芯片性能分析及优化,确保研发项目的顺利进行;
3、相关专利文件撰写及申请;
4、根据需求进行产品变更与维护,实验数据的统计分析;
5、负责维护相关产品领域的研发数据库和设计规则、检查表;
6、负责功率半导体器件新技术、新标准、新工具和新方法学的研究及开发。



任职要求:


1、专业背景/学历:硕士及以上学历(或从业5年以上的重点本科学历),微电子与固体电子、半导体器件与物理等相关专业,具有扎实的物理基础和半导体器件基础;
2、工作经验:功率半导体器件相关工作经验1年(含)以上,有功率器件流片成功工作经验者优先,具有SGT MOSFET、超结(Super Junction) MOSFET、IGBT、SiC-SBD/MOSFET一种或多种设计经验者尤佳;
3、专业知识与技能要求:熟悉MOSFET、IGBT、FRD、SIC mos,SIC SBD等功率半导体器件的开发流程;熟悉半导体封装、FAB晶圆制造工艺流程,了解功率器件二极管、MOS、IGBT内部物理结构;熟悉版图设计(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation);了解芯片封装层面的热应力、机械应力仿真,PI/SI仿真内容;
4、具有Fab实际经验和上述功率半导体器件的实际开发/生产经验优先,对芯片可靠性设计以及晶圆工艺,封装,测试有深入理解者优先,有芯片逆向工作分析经验者优先。


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